超高真空磁控溅射系统
PVD公司生产的超高真空磁控溅射系统是一款专为薄膜
半导体材料制备设计的高性能设备，支持最大300mm衬底，具备RF、DC和脉冲DC等多种溅射技术，靶材尺寸从1英寸到8英寸可选。系统配备可加热至850°C的衬底支架、高真空腔体（304不锈钢材质）、分子泵或冷凝泵真空系统，以及QCM膜厚监控和RGA残余气体分析等原位监控功能。此外，还可根据客户需求扩展RHEED、椭偏仪等功能，广泛适用于半导体薄膜的研发与生产。
仪器介绍:
美国专业的制造商PVD公司是一家在磁控溅射沉积，电子束蒸发沉积，脉冲激光沉积等领域有着20年制造经验。
我司代理的PVD公司生产的磁控溅射系统可以实现在最大300mm衬底上沉积金属和电介质薄膜。使用RF、DC或脉冲DC电源的磁控溅射源可以单个模式或者联合-沉积模式工作，以便生产可以对满足广泛的薄膜要求。我司生产的钛磁控溅射源的尺寸可从1 inch（25mmm)到8inch（200mm)任选 ,并搭配内置倾斜装置以满足按照沉积工艺进行的微调。衬底支架符合最大300mm直径的晶片需求，并可对晶片加热至850°C及加载RF偏压。磁控溅射系统可按客户需求增减其他窗口用于诸如残余气体分析（RGA）、反射高能电子衍射（RHEED)或椭偏仪（ellipsometry）。
技术参数：
Vacuum Chamber: 304不锈钢圆柱形腔体，满足不同客户的定制需求。
Pumping: 分子泵或冷凝泵，机械泵真空系统
Load Lock: 手动传片或自动传片,适合各种形状尺寸的小片到300mm大的圆片，高真空背景传递
Process Control: PC / PLC自动控制界面，菜单控制，数据获取和远程控制
In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚监控，光学膜厚监控，RGA残余气体分析
Substrate Fixture: 单片，多片，星状衬底夹具
Substrate Holders: 可加热，冷却，偏压，旋转
Ion Source: 衬底预清洗，纳米表面改性
Deposition Techniques
Magnetron Sputtering RF, DC, or Pulsed-DC;具有射频溅射，直流溅射，脉冲直流溅射。
Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition 倾斜角度溅射。
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