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Q-One型纳米级离子注入系统是一种先进的半导体制造设备，专为量子器件和先进材料工程设计。它能够以纳米级精度实现单离子的精确定位和注入，具备20纳米的聚焦离子束和1纳米的光学编码器压电驱动级，确保极高的离子放置精度。Q-One支持多种元素的注入，包括液态金属离子源和双等离子体源，可实现氧和氮的掺杂。其高分辨率电子柱提供4nm的详细成像，用于现场验证和过程控制。该系统不仅速度快、可扩展性强，还能在短时间内生成数百万个精确定位的原子阵列，广泛应用于单离子注入、量子器件制造、纳米材料工程、光子系统和存储设备等领域。
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无支架导轨模块的轮廓仪是专为高精度磨损速率测量而设计的半导体测试设备。它通过精确测量涂层或基底材料的磨耗情况，为选择最佳材料提供可靠数据。与传统带支架的轮廓仪相比，无支架导轨模块能够避免因摩擦表面测量不准确而导致的误差（传统设备测量结果可能高达实际值的3倍），从而确保测试结果的高精度和可靠性。该设备具备高分辨率（Z方向7.55nm），能够在磨损不充分时继续在同一轨道测试，无需移动样品，显著提升了测试效率和准确性，是半导体材料磨损测试的理想选择。
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华矿重工有限公司推出的CMSW矿用本安型锚索（杆）无损检测仪，是一款专为矿山巷道支护结构安全评估设计的便携式智能检测设备，适用于煤矿、金属矿及隧道工程中锚索、锚杆的锚固质量检测，可精准识别锚固段脱粘、断裂、锈蚀及预紧力损失等隐患，为矿井支护稳定性提供科学依据。
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真空摩擦学系统是一种用于研究超高真空或大气环境下两个表面之间摩擦性质的设备。它适用于1到10N的负载范围，能够测量0.001到2的摩擦系数，并具备负载的闭环控制功能。系统配备2轴操纵器（带加热）用于摩擦球夹具，以及1轴操纵器（带加热和冷却）用于平面样品夹具。其压力范围从10⁻⁹ mbar到1bar，可在氧气、氢气、水蒸气和简单碳氢化合物等气氛中使用。该系统采用模块化设计，可连接多种沉积模块（如MBE、PLD、溅射）和分析模块（如XPS、UPS、ARPES、IR等），并拥有专利号FR 15 55388，专利名称为“用于测量摩擦力的高精度装置”。
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江苏神磁航材科技有限公司推出的SCPT-1000荧光渗透探伤设备，是一款专为金属表面微裂纹、气孔及冷隔等缺陷检测设计的高精度无损检测系统。
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检查装置配备有红外光源和准直器光学器件，该准直器光学器件用具有均匀强度的光束照射晶片。红外感应摄像头通过USB接口在您的计算机上显示被检查基板的图像。相机的视野和放大倍数可以手动调整。
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在MEMS制造中，构建三维结构或封装通常需要两个单芯片的精确对准和键合。使用芯片到芯片键合器（CCB），可以手动对齐两个芯片。然后可以使芯片接触，以进行阳极键合或各种胶合过程。单芯片对准级包括三个线性轴和三个旋转轴，为大多数对准应用提供了足够的自由度。下芯片夹在基板上，上芯片由针固定。两个真空保持器都可以单独调节和切换。为了执行阳极键合过程，提供了加热板和高压源。在控制器单元上调节键合电压，该控制器单元监测电压和键合电流。加热板的温度也在控制器单元上进行调节。
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亚测（上海）仪器科技有限公司推出的EPOCH 650金属焊缝超声波探伤仪，是一款集高性能超声检测与智能化分析功能于一体的便携式无损检测设备，专为工业焊缝、铸件及压力容器的内部缺陷检测设计，广泛应用于石油化工、船舶制造、电力工程及轨道交通领域。
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红外光晶片检测显微镜 硅对红外光是透明的。我们的红外光晶片检测显微镜从背面照亮硅基板，并捕获渗透到基板中的光。因此，可以检查硅基板内部的现象，这些现象在传统显微镜下是不可见的。 显微镜配备了一个长工作距离物镜。三步变焦允许用户选择正确的视野和放大倍数。红外感应摄像头通过USB在您的计算机上显示被检查设备的图像。5倍物镜的分辨率优于3µm。 此外，还提供顶部照明。这允许在传统模式下使用显微镜并检查晶片的顶面。 红外显微镜配备了一个xy工作台，可容纳8英寸或更小的晶片。该工作台由电机驱动，可以用操纵杆控制。
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耐世博工业技术（苏州）有限公司推出的GX113型工业光学内窥镜检测设备，是一款集高清成像、灵活操控与智能分析于一体的工业级无损检测工具，专为复杂腔体内部缺陷的可视化检测设计，广泛应用于航空航天、能源电力、汽车制造及精密机械领域。
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薄膜电阻及厚度测试仪采用涡流检测技术，可按照需求配置单个或多个针对不同样品的高敏感探头进行测量，并通过显示模块输出。检测最终输出结果可显示为薄膜电阻（Ohms/sq），薄膜电导(Mhos/sq），厚度(单位：um）等。
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婺源县超越自动化设备有限公司研发的自动化焊缝无损探伤检测仪，是一款集超声（UT）、相控阵（PAUT）与机器视觉技术于一体的智能化检测设备，专为工业管道、压力容器及钢结构焊缝的自动化检测需求设计。
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深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy）是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一)的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。
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等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）是一种用于薄膜半导体材料制备的高性能设备，能够在较低温度下借助等离子体的高活性促进化学反应，沉积出高质量的薄膜。该系统可沉积SiO₂、Si₃N₄、类金刚石薄膜、硬质薄膜和光学薄膜等，最大沉积尺寸达12英寸。系统配备射频淋浴源、空心阴极高密度等离子体源、感应耦合等离子体源或微波等离子体源，支持最高800°C的加热温度，均匀性优于±3%，并具备预抽真空室和自动晶片装卸功能，实现全自动控制。
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等离子体增强原子层沉积（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition，PEALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。
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绵阳沃思测控技术有限公司研发的超声波小管在线厚度测量仪ULTRAMAC，是一款专为金属小管材（外径≥3mm，壁厚0.2mm-10mm）生产过程实时监控设计的高精度非接触式检测设备。
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这款美国制造的多功能镀膜系统专为研究所和研发部门设计，具备小容量、快速重复工作流程的特点，活性沉积区域最大直径可达200mm（8英寸），适应多种衬底。系统可配备最多4个溅射源，支持连续沉积和联合沉积模式，具备不同工作气体控制功能。其磁控溅射源直径有50mm、75mm和100mm可选，内置阴极角倾斜和挡板设计，配备直流、脉冲、高频（HF或MF）电源，衬底可加热、冷却或加载RF/DC偏压，还可添加预抽室，具有超高性价比，占用空间小，能够满足客户对真空薄膜沉积的高性能要求。
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反应离子刻蚀系统（RIE）及深反应离子刻蚀系统（DRIE）是专为薄膜半导体材料制备和微纳加工设计的高性能设备。RIE通过高频电压产生离子层，利用离子撞击完成化学反应蚀刻，适用于高精度、高垂直度的刻蚀需求。DRIE系列则配备低温晶片冷却、偏置压盘和2kW ICP源，能够在10⁻³ Torr压力下高效运行，支持深硅刻蚀等复杂工艺。系统具备铝制或不锈钢腔体、射频源、高真空度、双刻蚀容量、气动升降盖、手动/全自动装卸样品等功能，还可选配高密度等离子源、ICP源、低温冷却、终点探测等模块。
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钧一检测技术(上海)有限公司推出的大屏便携式超声波探伤仪USM 36，是一款集专业检测性能、大屏交互体验与工业级耐用性于一体的高端无损检测设备，专为复杂工件的高精度缺陷检测与数据管理需求设计。
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电子束蒸发镀膜系统（E-Beam Evaporator System）是由美国专业制造商生产的高性能薄膜制备设备，适用于薄膜半导体材料的制备。该系统具备电子束蒸发、热阻蒸发、离子束辅助蒸发镀膜（IBAD）和泻流源等多种功能模式。其技术参数包括304不锈钢圆柱形腔体（标准直径18英寸和24英寸）、分子泵或冷凝泵真空系统、手动或自动传片的Load Lock（适合200mm以下样品）、PC/PLC自动控制界面、QCM和光学膜厚监控、RGA残余气体分析、多种衬底夹具（单片、多片、行星式）以及可加热、冷却、偏压和旋转的衬底支架。
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我们提供了一套完整的MOCVD，主要产品包括台式研发型、中试型和生产型。其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统.
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超高真空多腔室物理气相沉积系统（PVD）是一款专为薄膜半导体材料制备设计的高端设备。它由全球领先的沉积设备制造商生产，具备多种沉积方式，包括磁控溅射、电子束蒸发和热蒸发，且预留了多种功能接口，高度灵活，非常适合科研用途。该系统在机械泵和分子泵的配合下，极限真空可达5×10⁻¹⁰ Torr（经过24小时烘烤冷却后），镀膜均匀度小于3%。它支持多种样品尺寸（1”至12”），配备石英晶体微天平和椭偏仪进行膜厚监控，样品台可旋转、加热并加载偏压。
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PVD公司生产的超高真空磁控溅射系统是一款专为薄膜半导体材料制备设计的高性能设备，支持最大300mm衬底，具备RF、DC和脉冲DC等多种溅射技术，靶材尺寸从1英寸到8英寸可选。系统配备可加热至850°C的衬底支架、高真空腔体（304不锈钢材质）、分子泵或冷凝泵真空系统，以及QCM膜厚监控和RGA残余气体分析等原位监控功能。此外，还可根据客户需求扩展RHEED、椭偏仪等功能，广泛适用于半导体薄膜的研发与生产。
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