纳米级离子注入系统
Q-One型纳米级离子注入系统是一种先进的半导体制造设备，专为量子器件和先进材料工程设计。它能够以纳米级精度实现单离子的精确定位和注入，具备20纳米的聚焦离子束和1纳米的光学编码器压电驱动级，确保极高的离子放置精度。Q-One支持多种元素的注入，包括液态金属离子源和双等离子体源，可实现氧和氮的掺杂。其高分辨率电子柱提供4nm的详细成像，用于现场验证和过程控制。该系统不仅速度快、可扩展性强，还能在短时间内生成数百万个精确定位的原子阵列，广泛应用于单离子注入、量子器件制造、
纳米材料工程、光子系统和存储设备等领域。
Q-One型， 先进的纳米级离子注入平台
Q-One是一种具有纳米级精度的确定性单离子注入的最新工具。这是一种全新的设计，功能强大的FIB，能够以惊人的精度和前所未有的速度定位单个离子。
Q-One具有许多强大的功能，是制造量子器件和先进材料工程的最先进系统。
快速、可扩展的设备制造
Q-One比SPM（扫描探针显微镜）技术快许多数量级，它可以在短短几秒钟内产生数百万个精确定位的原子阵列。
纳米精度
Q-One具有20纳米聚焦离子束和1纳米光学编码器的压电驱动级，提供了最终的精确离子放置。
植入多种元素
液态金属离子源和质量过滤柱可选择和植入40多种不同元素。双等离子体源也可用于氧和氮掺杂。
双离子束
高分辨率电子柱可提供高达4nm的详细成像，用于现场验证和过程控制。
应用
单离子注入
量子器件制造与研究
纳米材料工程
光子系统
存储设备
成功案例
单离子多物种低能定位项目
作为单离子多物种低能定位项目的一部分， 2018年在英国 Surrey Ion Beam Centre安装了第一批两台同类仪器。
PLATFORM FOR NANOSCALE ADVANCED MATERIALS ENGINEERING
Q-One系统成为英国Henry Royce研究所，纳米先进材料工程新平台的核心。
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