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热舟蒸发源是一种用于实现轻薄薄膜金属沉积的设备，特别适用于薄层沉积、光学涂覆、混合层沉积和金属电极接触等应用。该设备由高质量、高真空兼容材料制成，能够在超高真空环境下加热至250℃，确保沉积过程的稳定性和纯度。热舟蒸发源支持手动或马达驱动挡板，最大工作电流可达100A，可根据客户需求定制，满足多样化的薄膜制备需求。
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半球型电子能量分析谱是一款高性能的电子能谱分析设备，具备120mm半径的大型高透射半球形分析器和全程180度反转角度，采用Jost电极进行边缘校正，配备全磁屏蔽和金属衬里真空外壳，确保高精度和稳定性。设备支持电脑控制电源、多个光学透镜和6个可选入口狭缝，提供单通道或多通道检测器选择，多通道检测器还可配备高分辨出口狭缝。搭配SPECTRA V8软件，用于高效的数据采集和处理，广泛应用于材料表面电子结构和化学状态的分析。
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磁控溅射靶源是一种专为超高真空系统（1e-11 Torr）设计的商业用溅射源，能够在不配置弹性垫圈的结构中烘烤至250℃，实现超高纯度的溅射沉积。它适用于金属、电介质和复合物的沉积。设备提供多种靶材尺寸（如1英寸、2英寸、3英寸等），靶材厚度最低可达4mm，有效节约靶材。溅射源法兰带有气体管道，提升溅射操作时的真空度。支持手动或马达驱动挡板，可原位倾斜（±30°），配备气体流量控制，支持全自动化进程，冷却水流量低（仅0.5L/min），占用空间小，适合高真空环境使用。
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合金纳米颗粒UHV沉积源是纳米颗粒沉积源，可在超高真空中将纯纳米颗粒和合金纳米颗粒沉积到样品上，从而形成功能性涂层。此外，我们可以通过精确控制纳米颗粒的大小、组成和结构来定制纳米颗粒涂层的性能。此外，还提供以下源：单个 1英寸源（NL-D1）、一个 2 英寸源 （NL-D2） 或三个 1 英寸源（NL-D3）。最后，我们可以将这些源集成到您现有的 PVD 系统中，或将它们集成到我们定制的 真空系统中。
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俄歇电子能谱(AES、Auger)是一种利用高能电子束为激发源的表面分析技术. AES分析区域受激原子发射出具有元素特征的俄歇电子。俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。
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多高度探针用于测量各种材料和样品尺寸。由25厘米宽、29厘米深、0.8厘米厚的硬质阳极氧化铝底座组成。一根直径为19mm、高度为20cm的不锈钢柱（用螺丝固定在底座上）支撑探头的升降机构，包括垂直滑动、操作杆轴和微型开关。垂直滑动带着探头，由夹紧螺钉固定。探针头的位置应确保在探针接触之前，微动开关不会通过电流。丢失动作确保在探头升起之前切断电流。探针臂可以很容易地定位在垂直轴上的不同高度，以允许对扁平材料或大或厚材料进行探测。
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俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统是一种用于薄膜及合金表面深度分析的设备，结合了俄歇电子能谱（AES）、低能电子衍射（LEED）和氩离子溅射深度分析技术。它能够实现对薄膜和合金的元素组成、原子结构和深度分布的“亚纳米级”精度分析，适用于大范围样品的半自动化操作。系统配备延迟型区域分析器、双静电透镜电子枪、磁场内电子冲击离子源、线型磁动样品传输臂和超高真空腔体等组件，支持样品预抽真空室（load-lock腔室），具备高精度和高真空度的特点，可用于多种材料的表面分析。
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单点开尔文探针是一种高精度、非接触、非破坏性的振动电容装置，专门用于测量导电材料的功函或半导体材料表面的表面电势和表面功函。这种技术对材料表面最顶部的1-3层原子或分子非常敏感，因此是一种极其灵敏的表面分析方法。KP Technology公司提供的单点开尔文探针系统具有业界最高的分辨率，功函分辨率小于3meV，支持手动高度调节。它广泛应用于有机和非有机半导体、金属、薄膜、太阳能电池、有机光伏材料以及腐蚀研究等领域。
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铝型材重型自动排料调刀端面铣床 LME-250B1、设备主要特点：☆ 用于铝门窗中梃型材端面的铣削加工，以满足中梃与框料的配合;☆ 可一次铣削多根型材，效率高;☆ 刀具可做上下、左右调整以适应不同形状尺寸的加工;☆ 四片水平端铣刀与一片垂直纵切锯片配合，可满足加强中梃等更多型材的加工要求。
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LJRY-CNC-6000铝型材数控锯切加工中心设备特点：自动上料工作台可连续自动夹持型材进行切割加工。机械手运动采用高精度齿轮齿条，保证送料精度。运动部位采用高精度直线导轨副，运行平稳，保证加工精度。
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