俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统
俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统是一种用于薄膜及合金表面深度分析的设备，结合了俄歇电子能谱（AES）、低能电子衍射（LEED）和氩离子溅射深度分析技术。它能够实现对薄膜和合金的元素组成、原子结构和深度分布的“亚纳米级”精度分析，适用于大范围样品的半自动化操作。系统配备延迟型区域分析器、双静电透镜电子枪、磁场内电子冲击离子源、线型磁动样品传输臂和超高真空腔体等组件，支持样品预抽真空室（load-lock腔室），具备高精度和高真空度的特点，可用于多种材料的表面分析。
俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统，又称俄歇电子能谱AES及低能电子衍射LEED样品表面深度分析系统。基于俄歇电子能谱AES、低能电子衍射LEED、及氩离子溅射深度分布的分析系统，完成对薄膜及合金的元素组成和深度分布的分析。
非接触式测量薄膜及合金元素组成。
带样品预抽真空室 （load-lock腔室）。
特性：
-对原子结构，元素组成和厚度分析达到“亚纳米级”精度
-大范围样品分析
-半自动化操作
系统特性
俄歇电子能谱AES分析器
分析器型号-延迟型区域分析器，自带同轴电子枪
能量分辨率：<5%
工作距离 10mm
检测器: 1e7至1e8增幅范围的电子倍增器通道
安装法兰-4.5英寸O.D.标准CF法兰（NW63CF)
电子枪：
型号 ：带可调焦距和束斑直径的双静电透镜
束流电压：0-3KV
束流电流：最大50uA
束流直径：最大800um
灯丝：钨灯丝
磁罩：带前置保护壳的Mu罩
深度离子溅射枪
离子源 在磁场内电子冲击形成离子
离子化阴极 钨-铼灯丝
直接安装于70mmO.D.CF法兰
束流电流：最大10 uA
束流能量：0-3keV
束流尺寸;直径范围5至25mm
束流均匀度：<5%
气体输入：经过泄漏阀气体直接输入至离子源
安装法兰：23/4英寸（70mm）O.D.CF法兰
样品传递操作
样品尺寸：尺寸从10mm-20mm
样品置入：单个样品置入
样品传输：线型磁动样品传输臂
真空系统
腔体：100mm焊接超高真空腔体（304不锈钢）
真空泵：60L/sec离子泵和50l/sec的分子泵，配备匹配的前级泵
真空规：宽量程真空规
真空兼容：超高真空材料
烘烤：真空下可最高烘烤至250度
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