本发明公开了一种快速制备
半导体材料三维亚微米级花状结构氮化
铝的方法,采用商用铝粉作铝源、氮化铝粉作稀释剂、氯化铵作催化剂,将原料球磨活化后在较低氮气气氛下进行燃烧合成,制备出的白色亚微米级花状结构氮化铝粉末。本发明首次利用燃烧合成法合成出形貌可控的氮化铝亚微米花,该方法工艺简单、重复性好、时间短、成本低、对环境没有污染。本发明制备的氮化铝亚微米花状结构材料在发光二极管,激光器,微/纳电子器件等方面具有广泛有前景。
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来源：北方有色网
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