本发明公开了一种沟槽栅MOS器件缺陷验证方法，包含：第一步，对沟槽栅MOS器件样品进行电学测试，扫描栅极对源极的漏电曲线；第二步，根据漏电曲线的特性，初步判定缺陷的大致位置；第三步，采用亮点定位工具，定位失效沟槽在
芯片上的位置；第四步，结合第二步的判定结果，选择对应的研磨或聚焦离子束方法进行制样；采用KOH或NaOH溶液溶解残留的栅极
多晶硅，找到缺陷位置。
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来源：北方有色网
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