本发明公开了一种含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器及制备方法，由高温保护薄膜组与并联钨铼薄膜热电偶共同构成传感器
芯片。其中钨铼合金薄膜组、高温电极和
氧化铝薄膜保护层这三部分均连接在
碳化硅质基底上，覆盖非晶态碳化硅薄膜保护层。本发明能够能在高温下(1000-1700K)，长时间测量温度信号，具有耐高温、防氧化、高塞贝克系数的特性，并同时解决了现有技术中存在的问题——如高温下的热失配、氧化、1400K附近基本失效的问题。
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“含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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