本发明公开了一种氮化硅‑聚酰亚胺复合介质的MIM电容器及其制作方法，通过在电容器的上、下极板之间设置氮化硅‑聚酰亚胺复合介质结构，采用第一氮化硅层定义电容器面积，第二氮化硅层定义电容器上下极板间距，同时采用聚酰亚胺填覆凹槽，一方面提高了抵御水汽侵蚀能力，解决了电容器在温湿度偏压(THB)/偏压高加速应力测试(BHAST)等可靠性测试中失效的问题，另一方面降低了高度差导致的第二金属跨区断裂风险，增强了上极板导电能力和耐击穿能力，提高了整体性能，可运用于所有HBT MMIC上。
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来源：北方有色网
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