本实用新型公开了一种利用对称性双向划片的单台面高压可控硅
芯片，包括N‑型长基区正面的P型短基区与N+型发射区连接成一体，N‑型长基区背面的背面P型短基区通过P型对通隔离环与正面P型短基区相连。制造方法：硅片检验、生长氧化膜、光刻隔离窗、隔离划片、双面注入
铝、隔离扩散、双面注入硼、双面注入铝、P型短基区扩散、光刻发射区、发射区磷扩散、光刻钝化槽、钝化槽腐蚀、钝化槽保护、光刻引线区、双面蒸发电极、光刻反刻区、合金、测试、划切。本实用新型解决了焊
锡膏焊接时因溢料导致成品管的电压失效问题；解决了因树脂填充不完全出现成品管内部空气击穿问题；解决了因采用厚片而出现的不衔接，不受控等问题，提高了生产效率和良品率。
声明：
“利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1258
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
