在SET/MOS存储器设计中，随着存储器容量不断加大，位线负载也相应变大，这有可能导致读机制失效。为了防止这种失效，必须增加灵敏放大器的充电时间，但是延长充电时间会影响读取速度这一关键参数。本文在分析SET/MOS存储器灵敏放大器工作原理的基础上，首先研究了位线负载对SET/MOS存储器读出速度的影响，并通过仿真，优化了SET/MOS存储器的读出电路参数，从而提供了一种读出时间可通过位线负载调节的SET/MOS存储器设计。
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来源：北方有色网
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