本发明提供一种SiC MOSFET驱动器的短路保护电路，包括温度检测电路和控制电路；温度检测电路与SiC MOSFET连接，用于采集SiC MOSFET所在的散热器的温度，并将采集的温度转换为电压信号；控制电路用于基于电压信号和预设的电压偏差确定基准电压，控制电路还与SiC MOSFET连接，用于检测SiC MOSFET的SiC MOSFET漏极和源极之间的电压，并基于检测的电压和基准电压对SiC MOSFET进行控制，实现SiC MOSFET的导通或关断，本发明能够对SiC MOSFET进行精准保护，不易误动作，保护能力强，避免SiC MOSFET由于结温过高而失效，延长了SiC MOSFET的使用寿命；大大提高了驱动器的可靠性，使驱动器能够可靠驱动SiC MOSFET动作。
声明：
“SiC MOSFET驱动器的短路保护电路” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
927
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
