本发明公开了一种自适应闪存写入操作控制方法及电路，该方法包括如下步骤：步骤一，当处理写入操作时，对两个参考单元的阈值电压进行检测；步骤二，将检测的阈值电压与不同参考阈值比较，根据比较结果判断当前行的阈值范围，从而取得当前行所处状态，继而判断相应的预编程，擦除，渐进擦除或编程操作,本发明可自适应的对闪存对应行进行擦除或写入操作，有效的防止对存储单元的过度擦除导致的过饱和失效，同时针对擦除不足的行，通过渐进式擦除机制，防止因擦除不足造成的闪存失效。
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来源：北方有色网
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