本发明公开的含未钝化金属层结构的塑封器件的开封方法，首先利用发烟硝酸在80℃-90℃的环境下蚀刻塑封器件5-10秒，并在30秒内开始进行清洗过程，利用丙酮和去离子水将蚀刻后的器件清洗干净并风干；然后在70℃-80℃的环境下利用由发烟硝酸和98％浓硫酸按2∶1体积比混合组成的蚀刻酸一蚀刻塑封器件10-20秒，蚀刻后应立即利用丙酮、异丙醇和去离子水将器件清洗干净，最后在空气中风干。采用精确控制开封工艺参数，两次蚀刻过程的方法对
芯片表面采用
镍铜、镍钨等未受钝化层保护的结构生产的塑封半导体集成电路进行开封，开封后可完整的保留器件内部结构，保证器件在开封后还能保持电性能，完全满足破坏性物理分析与失效分析等后续检验对器件完好性的要求。
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来源：北方有色网
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