本发明公开了一种定位半导体
芯片长距离金属线间缺陷的方法，包括步骤：1)对芯片进行研磨剥层处理，暴露待分析金属线的至少端头部分；2)在待分析金属线的端头附近，且与金属线没有交接的区域，垫积出与各条待分析金属线对应的金属垫；3)在待分析金属线的端头和对应的金属垫之间，垫积出用于连接端头和金属垫的金属条；4)在金属垫上扎针，进行光致阻抗变化测试，定出缺陷在金属线上的具体位置。该方法通过结合使用一系列的失效分析技术，实现了对特定长距离金属线间缺陷的更快速、准确和有效的定位。
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“定位半导体芯片长距离金属线间缺陷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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