本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种制备TEM样品的方法，通过在获取失效
芯片的失效点位置以及非失效芯片的失效分析参考点的位置后，将失效芯片沿垂直于选定侧面的方向抛光至失效点的附近，并将非失效芯片沿垂直于该选定侧面的方向抛光至失效分析参考点的附近，之后将失效芯片的正面和非失效芯片的正面粘合在一起形成一待测结构，并将待测结构的抛光面朝上放入FIB机台进行TEM样品的制备工艺，从而可以快速的制备出TEM样品，且可以在拍摄高分辨率图片时找到最合适的厚度，确保高分辨率图片的质量。
声明：
“制备TEM样品的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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