一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，基板上端中部通过
锡膏烧结有主DBC板，主DBC板上通过锡膏烧结有IGBT
芯片和FRD芯片，IGBT芯片和FRD芯片之间通过
铝线超声键合，主DBC板上端设有功率端子触点；基板上端一侧通过锡膏烧结有第一辅助DBC板，辅助DBC板上端承载有热敏电阻，第一辅助DBC板上端还设有与热敏电阻电连接的温度信号输出触点；基板上端另外一侧通过锡膏烧结有第二辅助DBC板，第二辅助DBC板上端设有信号端子触点；引线端子与温度信号输出触点电连接，信号端子与信号端子触点电连接，功率端子与功率端子触点电连接。本技术方案能够监测IGBT模块芯片的结温，避免芯片温度过高引起的失效。
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“可监测温度的IGBT功率半导体模块结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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