本发明提供一种存储单元可靠性的测试方法，所述存储单元具有开启擦除状态的第一阈值电压和开启编程状态的第二阈值电压，其中，所述存储单元可靠性的测试方法至少包括：预先设定一感知电压；对所述存储单元进行擦除或编程操作，读取所述存储单元的当前电压；比较所述当前电压和所述感知电压，根据比较结果确定所述存储单元的当前工作状态；判断所述存储单元的当前工作状态与其所受的操作是否相符；若是，判定所述存储单元正常工作；若否，则判定所述存储单元失效。本发明能够通过测试存储单元的工作状态，来测试存储单元的可靠性，具有高精确度和较短的编程时间，方法简单，能够快速、精确评估存储器产品的可靠性，同时节省了编程时间。
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来源：北方有色网
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