本发明公开了一种测试对准使用
芯片的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、在工艺初期图形定义时，硅片内的所有区域都进行曝光；步骤2、当该硅片因为芯片尺寸过小时，需要进行对准芯片制作时，针对此类硅片，在硅片内部完整shot的位置上，选择一个小的区域M进行二次曝光，使区域M内的全部或部分芯片失效，形成一个失效的芯片阵列，作为测试对准使用；步骤3、根据区域M中的失效芯片周边芯片中是否含有有效芯片，来判定测试结果是否与硅片上实际芯片结果发生左、右、上、下的偏移。本发明的测试对准使用芯片的制作方法，相对于常规使用的不曝光方式制作失效芯片的方法影响面积少，判定准确率高，并且失效芯片数目变化灵活性高等优点。
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“测试对准使用芯片的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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