本发明提供一种测试结构及其形成方法、测试方法，所述测试结构包括第一测试键和第二测试键。第一测试键包括：多个第一隔离结构；由多个第一隔离结构在基底中围出的多个矩形测试有源区，沿矩形对角线方向排布的测试有源区的顶点重合，形成交界点；位于基底表面上的多条第一测试栅。第二测试键包括第二隔离结构和第二隔离结构表面上的多条第二测试栅。在第一测试键包含了多个交界点，交界点更容易暴露浅沟槽工艺的问题；第二测试键中不会发生浅沟槽隔离缺角缺陷；通过第一测试栅和第二测试栅的桥接状况的检测与对比，模拟晶圆内部浅沟槽缺角缺陷的发生情况，进而对浅沟槽缺角缺陷造成的栅极桥接进行准确的失效分析。
声明：
“测试结构及其形成方法、测试结构的测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1010
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
