本发明是以半导体器件电迁移失效物理模型为基础，建立了一种基于仿真技术的半导体器件电迁移失效测试方法。在进行测试时首先需要收集半导体器件的相关信息；其次通过EDA软件SABER平台建立每个晶体管EDA模型及器件晶体管级EDA系统模型，并仿真得到半导体器件每个管脚的电压仿真值；然后基于器件版图等信息通过有限元仿真软件Abaqus建立有限元模型，并将管脚的电压仿真值注入到模型中进行仿真，得到金属互联线上的电流密度值；最后将收集得到的器件相关信息及仿真得到的电流密度值带入到电迁移BLACK模型中计算器件内部的金属互连线潜在故障点的失效时间，将其中最短的失效时间视为该器件的失效寿命。
声明：
“基于仿真技术的半导体器件电迁移失效测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1052
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
