本发明提供一种焊球失效的球栅阵列封装中近场测量值的预测方法及系统，属于
芯片封装领域。所述方法包括：通过仿真分析得到焊球失效的球栅阵列封装的辐射场；建立近场测量的等效电路模型；根据所述等效电路模型和所述辐射场计算所述等效电路模型的输出电压。本发明提供的预测方法能够快速准确的预测得到焊球失效的球栅阵列封装近场磁场的输出电压和近场电场的输出电压，为判断焊球失效对球栅阵列封装的辐射场影响提供数据依据。该预测方法准确有效，不需要搭建暗室，降低测量成本，降低近场测量值的测量误差。
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“焊球失效的球栅阵列封装中近场测量值的预测方法及系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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