本实用新型提供了一种增强型半导体结构，增强型半导体结构包括：自下而上分布的半导体衬底、异质结结构、帽层、第一钝化层以及第二钝化层；贯穿第一钝化层与第二钝化层的凹槽；以及至少位于凹槽的内壁的栅极绝缘层。在干法刻蚀第二钝化层形成凹槽后，第一钝化层可用于刻蚀终点检测，避免过刻蚀。在第二钝化层凹槽处暴露出的第一钝化层，可通过湿法刻蚀去除。湿法刻蚀去除第一钝化层时，帽层具有极高的稳定性，所以湿法腐蚀去除第一钝化层后，不会损伤帽层。无损伤的帽层能有效降低异质结结构的表面缺陷，以降低电子被缺陷捕获的几率，实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。
声明：
“增强型半导体结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
912
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
