本发明公开了一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，涉及无损检测信号处理领域，包括：基于模型仿真并插值构建带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系，根据对已知尺寸缺陷的实验检测结果修正模型和实验的关系，利用未知缺陷检测结果呈现的多提离下畸变率特征以反演开口缺陷深度h和宽度d，以实现单对电极电容成像用于开口缺陷的定量化检测。本发明通过仿真建立数据库，实验修正数据库，最后再应用于实验量化中，实验表明该方法合理有效且具有较高的量化精度，为缺陷的三维重构提供精确的缺陷二维量化尺寸以最终结合蛇形面扫描数据实现缺陷三维重构。
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“基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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