本发明公开了一种SiCMOSFET模块内部多
芯片温度分布均匀性的无损测试方法，在SiCMOSFET模块栅极施加一个高栅压，工作在盲区之上，分别施加小电流和长脉宽大电流，获得小电流的温度敏感参数和大电流含有自升温的温度敏感参数；通过反向逆推大电流含有自升温的温度敏感参数，获得未产生自升温的校温曲线，结合小电流的校温曲线，建立校温曲线库；基于校温曲线库，在小电流和长脉宽大电流下，测试升温后模块的两个温度值，计算二者温度结果的差值；根据温度差值的大小与参考温度差值作比较，即可在不破坏模块封装的情况下判断模块内部的温度分布情况。本发明避免了在实际工况下，模块内部多芯片温度分布不均匀、温度差异大，导致个别芯片可靠性明显降低的问题。
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“SiC MOSFET模块内部多芯片温度分布均匀性的无损测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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