本发明提供了用于无损测量一个半导体器件中少数载流子扩散长度(Lp),进而测量少数载流子寿命(Op)的一种方法。该方法包括以下步骤:将一个待测试半导体器件反向偏置,用一束聚焦辐射能量沿该半导体器件的一段长度进行扫描,当辐射束沿该半导体器件的扫描长度段逐点扫描时检测该辐射束在半导体器件中感生的电流,以生成一个信号波形(Isignal),并根据测得的Isignal波形确定该半导体器件中少数载流子的扩散长度(Lp)和/或少数载流子的寿命(Op)。
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“半导体器件少子扩散长度和少子寿命的无损测量方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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