本发明公开了一种硅片表面颗粒污染成分无损快速在线检测方法及系统，先将第一激光照射在硅片表面，将污染颗粒剥离硅片表面；然后在延迟第一预设时间之后利用第二激光将颗粒击穿，得到激光等离子体；两束激光之间的延时几十微秒，从激发颗粒脱离到检测到颗粒整个过程周期为微秒级；然后在延迟第二预设时间后，采集并分析激光等离子体发出的激光等离子体信号，获得颗粒的光谱信号进行进一步分析。从上述分析可知，本发明的方法无需对样品进行预处理，测量周期为毫秒级，能够满足集成电路生产环节硅片表面颗粒污染成分的实时快速在线检测的特点要求，还不会造成硅片的二次污染或损伤，能够实现对硅片表面污染颗粒成分进行快速实时在线及无损检测。
声明：
“硅片表面颗粒污染成分无损快速在线检测方法及系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
867
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
