本发明属于纳米酞菁铟制备技术领域，具体公开一种新晶体结构酞菁铟纳米线及其制备方法，所述酞菁铟纳米线的X‑射线衍射谱在下列的2θ处具有一个或多个特征峰7.338、16.635、21.285、23.253、25.222、27.164、27.769、28.217；所述X‑射线衍射谱的测试条件为：Cu
Kα1，
0.02°/step/1s；其制备方法包括放入酞菁铟源料至水平管式炉中的加热区域，在载气氛围下，以阶梯升温的方式加热，升温速率为1‑8℃/min,加热酞菁铟源料至470‑800℃，通过该载气，引导该升华的酞菁铟离开该加热区域，至生长区域得到酞菁铟纳米线，本发明得到具有特定结构的InPC均匀性好，平均直径为100nm以下，纳米线束的长度通常为10mm以上，提升和改善了酞菁铟的物理和化学性质，能更好地应用于光电导材料、液晶彩色显示等领域中。
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“新晶体结构酞菁铟纳米线及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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