本发明公开了一种六方相硒化铟晶体及其在二阶非线性光学上的应用，化学式为In
2Se
3，分子量为466.52，其单晶属于六方晶系，空间群为P6
5，晶胞参数为：a=b=7.1231(3)Å,c=19.393(2)Å,α=β=90°，γ=120°,V=852.12(10)Å
3,Z=6。通过高温固相法获得In
2Se
3晶体，硒化铟晶体展现出了优异的非线性光学性能，In
2Se
3晶体粉末呈现较大的倍频效应，约为AgGaS
2的1.5倍，且在2100 nm激光下可实现相位匹配；其抗激光损伤阈值为AgGaS
2的7.3倍，可应用在中远红外波段的探测器和激光器的重要器件。
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“六方相硒化铟晶体及其在二阶非线性光学上的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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