本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺 制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次 沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗 干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100) 硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出 SiO2，在 SiO2上光刻成图形然后刻蚀掉 图形下SiO2。(4)用刻蚀液对(100) 硅片刻蚀，形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉 积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。 (7)再次光刻，沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下，实现 了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明，单元器件的阈 值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。
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来源：北方有色网
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