本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种波导的刻蚀方法，该方法包括：提供表面具有波导材料层的半导体衬底；波导材料层基于化学气相沉积技术得到；采用光刻工艺在波导材料层表面形成图形化的掩膜层；掩膜层用于确定波导材料层的待刻蚀面；基于掩膜层，采用干法刻蚀工艺刻蚀波导材料层的待刻蚀面，以形成波导；其中，在刻蚀波导材料层的待刻蚀面的过程中，通过实时测量波导材料层的刻蚀深度和波导材料层剩余的衬底厚度，来确定刻蚀终点。如此，可以提高波导的刻蚀精度，减少刻蚀所得波导深度的尺寸偏差，并提高波导的性能。
声明：
“波导的刻蚀方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
847
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
