本发明涉及一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法，包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜，所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构，所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔。本申请的致密多孔晶体薄膜是一次性生长而成，具有制备工艺简单、比表面积大、且表面活性高等优势；致密多孔晶体薄膜，是由倒尖锥状的孔构成，有利于待测样品进出小孔、并具有大的比表面积；其孔壁为尖锥状结构，更为结实稳定；选用的氮化物
半导体材料属于第三代半导体材料，具有优异的化学稳定性，如耐酸碱腐蚀，更适用于高可靠性的半导体传感器。
声明：
“半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1227
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
