本发明公开了一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面
芯片上附着性的方法。本发明是在超晶格红外焦平面芯片上通过等离子体处理芯片表面，从而增加光刻胶在芯片表面的粘附性，尤其针对较小光刻图形制备时。在超晶格红外焦平面芯片光刻前，首先采用氧等离子体与芯片上残余的有机污染物发生化学反应，生成气态的CO、C02和H20，从而达到去除芯片表面残余有机污染物的目的，其次采用氩等离子体轻微轰击芯片表面，增加芯片表面粗糙度。氧等离子体和氩等离子体先后作用在超晶格红外焦平面芯片上，增加了后续光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性，提高了图形完整性，降低了超晶格红外焦平面探测器盲元率。
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来源：北方有色网
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