本发明属于光电探测领域，涉及基于压电光电子学效应增强Au/4H‑SiC肖特基结输出的方法。将预处理后的4H‑SiC单晶片通过
电化学腐蚀方法垂直腐蚀得到4H‑SiC纳米线阵列，洗涤烘干后通过旋涂PMMA溶液将纳米线阵列包裹，通过氧等离子体清洗技术露出纳米线顶端，将Au电极沉积在纳米线阵列顶端，形成Au/4H‑SiC肖特基结，最终通过压电马达在纳米线顶端施加压缩应变实现对Au/4H‑SiC肖特基结光电响应的增强。本发明中的Au/4H‑SiC肖特基结通过应变的施加，能够对不同机械力产生不同响应，可以明显的改变器件的输出性能。能够优化器件的输出性能，进一步用于外界机械刺激与SiC基电子器件的直接交互。
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“基于压电光电子学效应增强Au/4H-SiC肖特基结输出的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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