本发明公开了一种厚绝缘膜的工艺实现方法，包括步骤：(1)在需要长绝缘介质膜的地方，先刻蚀槽；(2)在槽内，根据不同的槽宽，进行炉管氧化；(3)氧化后，成长填孔性较好的绝缘膜；(4)化学机械研磨，把表面的凸起磨平；(5)再把有源区的绝缘膜刻蚀掉，只留下厚的场氧绝缘膜。本发明通过改变刻蚀槽的形貌后，元包之间的二氧化硅绝缘膜在炉管里成长后，改变了应力的方向，测量后曲率半径和进炉管长膜前的曲率半径基本一致，解决了元包之间厚度大于2微米绝缘层的可行办法。
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来源：北方有色网
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