一种用来清除等离子体腐蚀引入的残留物的方 法。在一个实施方案中, 在部分光抗蚀剂已经被用来形成
多晶硅 栅之后, 本发明提供了一种新颖的有利的等离子体灰化环境。具 体地说, 在此实施方案中, 本发明将CF4引入到等离子体灰化环境中。接着, 本实施方案将H2O汽引入到等离子体灰化环境中。在此实施方案中, CF4对H2O的体积比为0.1∶1-10∶1。接着, 本实施方案利用这一等离子体灰化环境来基本上清除多晶硅腐蚀引入的残留物而不需要腐蚀性化学剥离。在这样做的过程中, 栅氧化物的腐蚀被明显地抑制, 致使足够量的栅氧化物层保留在下方的半导体衬底上。此外, 在本发明中, 在清除等离子体腐蚀引入的残留物之后, 栅氧化物层是清洁的, 且足够的栅氧化物保留下来, 致使能够精确而可靠地测量保留的栅氧化物层的厚度。
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来源：北方有色网
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