本发明公开一种降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法，该包括在工艺腔室的内壁形成介质层的步骤，其中形成介质层的步骤包括：向工艺腔室中通入第一气体和第二气体，并使第一气体和第二气体电离形成等离子体并发生化学反应，以在工艺腔室的内壁上沉积形成不含金属元素的介质层。本发明在工艺腔室的内壁形成介质层，从而起到保护晶圆的作用，使其不会被金属所污染，从而保证了金属污染测试的通过率，进而节省大量的机台闲置时间，提高机台产能，增加了晶圆上
芯片元器件的可靠性，提升器件良率。
声明：
“降低半导体设备工艺腔室内金属污染的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
833
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
