本发明涉及一种非倒装键合体式硫系
铅焦平面阵列器及其制备方法与应用，属于光电传感器制备工艺技术领域。本发明设计的制备方法解决了倒装键合工艺复杂，成品率低，成本高的问题，采用硫系铅薄膜具备的大面积均匀性和易与硅衬底集成的特性，直接在硅衬底上沉积生长制备焦平面阵列，同时在化学水浴沉积过程中，采用竖直布置衬底的方式，可一次性生成多个基片，有利于保证产品质量稳定性。故本发明设计的阵列器件质量稳定，探测率、响应率也表现良好。
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“非倒装键合体式硫系铅焦平面阵列器及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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