本发明一种四元LED
芯片干法蚀刻方法，属于LED蚀刻技术领域；解决的技术问题是提供了一种四元LED芯片干法蚀刻方法，在偏压功率、电感耦合等离子体和蚀刻时间设定为特定值时调整气体流量,使被蚀刻产品的均匀度降低，提高产品质量；采用的技术方案为：一种四元LED芯片干法蚀刻方法，按照以下步骤进行：将偏压功率、电感耦合等离子体功率和蚀刻时间设定为特定值，气体流量设定为15±1sccm；将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内；将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜；将材料放入测量仪，测试材料多个位置的蚀刻深度；本发明可广泛应用于蚀刻技术领域。
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“四元LED芯片干法蚀刻方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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