本发明提供一种Te/MoS
2范德华异质结构，包括MoS
2纳米片层和Te纳米线层，所述Te纳米线层外延生长在所述MoS
2纳米片层表面。本发明的范德华异质结构用窄带隙的具有一维结构的Te纳米线作为红外吸收层，具有二维结构的MoS
2纳米片作为导电沟道，该结构化学性质稳定。应用于红外探测器件中，使得红外探测器件工作于
光伏机理，有良好的性能，在通信波长1550nm处同时表现出超高的响应度(1.9×10
3A/W)和快速的响应时间(τ
rising＝15ms，τ
decay＝32ms)；本发明通过物理气相沉积方法制备所述Te/MoS
2范德华异质结构，具有成本低、工艺简单、合成速度快等优点。
声明：
“Te/MoS2范德华异质结构及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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