本发明涉及一种用于在CVD反应器(1)中的基材上沉积二维的层的方法，在所述方法中，借助输入管路(10)将工艺气体馈送到进气机构(2)中，所述进气机构具有通入处理室(3)中的排气开口(14、14)，在所述方法中，工艺气体或者所述工艺气体的分解产物在所述处理室(3)中被带至所述基材(4)的表面，并且在所述方法中，借助加热装置使所述基材(4)达到过程温度(TP)，从而在所述工艺气体进行化学反应后在所述表面上形成二维的层。按照本发明，在将所述基材(4)加热到过程温度(TP)期间或者在将所述基材(4)加热到过程温度(TP)之后首先将所述工艺气体的具有第一值(Q1)的气体流馈送到所述处理室(3)中，其中，在所述基材(4)的表面上不发生层的生长，之后在观测基材表面的情况下将工艺气体的气体流升高至第二气体流(Q2)，在所述第二气体流中开始层的生长，并且接着使工艺气体的气体流升高预设的值而升高至第三气体流(Q3)，在所述第三气体流时沉积层。在此通过观测高温计的测量曲线的在时间上的变化走向识别层的生长的开始。
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来源：北方有色网
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