本发明公开了
碳化硅晶片抛光温控的方法和装置，碳化硅晶片抛光温控的方法包括：步骤S01，在抛光机抛头上设计孔径；步骤S02，将温度感测器放于所述的孔径内，连接抛光机台的电控程式，进行联结监控；步骤S03，对碳化硅晶片进行抛光处理。温控的装置包括主轴、抛头、温度感测器和O‑ring。本发明在抛光机的抛头上设计多孔径，使温度感测器可以直接安装在抛头上，透过与机台PLC连接，让在抛光过程中可以实时监控盘面温度，并可依照不同需要侦测的点做更改，达到抛光温度稳定，抛光过程的化学作用稳定，减少浆料洁净造成晶片表面刮伤，最终达到晶片无刮伤的表面需求。
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来源：北方有色网
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