本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi
2O
2Se单晶，属于电子材料领域。本发明所述的Bi
2O
2Se单晶的晶体结构为四方晶系，空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi
2O
2Se单晶。两种方法生长的Bi
2O
2Se单晶均呈片状，晶体的尺寸范围为毫米级，纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内，实验测得的Bi
2O
2Se晶体的电阻率与温度平方(T
2)呈正比关系，符合费米液体理论，Bi
2O
2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi
2O
2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×10
5cm
2V
‑1s
‑1(2K)和300cm
2V
‑1s
‑1(300K)，并且在空气中具有良好的稳定性，因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景，同时其生长方法简单，成本低廉，有利于工业化生产。
声明：
“理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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