本发明公开了一类打断共轭型聚合物
半导体材料及其制备方法和应用，该半导体材料的结构以环戊并二噻吩为骨架，具有选自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化学式的结构：制备方法：先通过环戊并二噻吩酮或者其衍生物与格氏试剂反应制备叔醇，然后在室温下，通过叔醇的傅克均聚反应，合成打断共轭型聚合物。本发明提供的聚合物材料有很宽的紫外吸收峰、窄的能带结构和
电化学稳定性良好并可以捕获电子等性能特点，在有机电存储、
太阳能电池和近红外探测领域具有很好的应用前景。且该材料的制备方法具有操作简单、反应条件温和、产率高等特点，易于工业应用。
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“打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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