本发明公开一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法。该方法采用范德华外延生长技术制备CdSe或CdS二维单晶纳米片，此方法的特征是采用表面光滑且无化学悬键的云母片为衬底，以CdCl2粉末、Se粉或S粉为源材料，氩气为载气，在高温条件下CdCl2蒸气与Se或S蒸气反应形成CdSe或CdS蒸气，然后沉积到云母片上形核并外延生长成为CdSe或CdS二维单晶纳米片。该法操作简单、成本较低、可控性强，获得的CdSe或CdS具有尺寸均匀性好、结晶度高等优点，在
太阳能电池、场效应晶体管、光电探测器、光催化等领域具有重要的研究价值和广泛的应用前景。
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“硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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