本发明公开了生长在Si衬底上的AlGaN薄膜，其包括Si衬底和在Si衬底上外延生长的AlGaN薄膜；所述Si衬底的晶体取向为111面偏100方向0.5-1°；经过采用脉冲激光沉积工艺生长AlGaN薄膜、采用金属有机化学气相沉积工艺生长Al原子层、对Al原子层进行氮化处理、衬底以及其晶向的选取等步骤制备而成。所述AlGaN薄膜应用于光电探测器或LED器件中。本发明解决Si衬底上GaN薄膜的裂纹问题的同时提高AlGaN薄膜的质量、纯度和界面性能，并降低工艺成本。
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来源：北方有色网
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