本发明涉及一种辨别
碳化硅晶片硅碳面的方法，其特征在于，包括以下步骤：将机械精抛后的碳化硅晶片进行化学抛光；将化学抛光后的碳化硅晶片用原子力显微镜测试其表面，在原子力显微镜上显示出所测试表面的粗糙度数值；若显示出的粗糙度数值在0.10～0.50nm之间，则所测试的表面为硅面；若显示出的粗糙度在0.80～3.00nm之间，则所测试的表面为碳面。本发明的特点是既不多加工序也不损伤晶片，即大大的降低成本、提高制片效率，且操作简单安全；同时能省去一个定位边，不但能减少再生长得到的晶体缺陷，提高晶体品质，而且与第一代半导体硅单晶片几何尺寸标准相匹配。
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“辨别碳化硅晶片硅碳面的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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