本发明公开了一类含二唑吲哚并吡咯的稠环化合物及其制备方法与应用，所述稠环化合物结构式如式1，式中，X相同或不同地选自CR
1或N；Y相同或不同地选自：C(R
1)
2、NR
1、BR
1、C(R
1)
2O、Si(R
1)
2、Ge(R
1)
2、R
1C＝CR
1、C(R
1)
2C(R
1)
2、C＝O、C＝NR
1、C(＝O)O、C(＝O)NR
1、P(＝O)(R
1)、P(＝S)(R
1)、O、S、Se、Te、S(＝O)和SO
2中的至少一种；*为R
1或Ar；Ar为稠环基团。该类稠环化合物具有较强的化学稳定性及化学修饰性，具有较好的光探测性能；所述稠环化合物含二唑单元，吸电性较好，是有利于实现空气稳定的n型
半导体材料。
声明：
“一类含二唑吲哚并吡咯的稠环化合物及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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