本发明公开了一种合成
石墨烯薄膜材料的方法,该方法通过化学气相沉积的方法,采用氢气加甲烷的混合气氛,在
铜基底上生长石墨烯薄膜;然后将生长了石墨烯薄膜的铜基底平放在表面被氧化了硅基底上,放入硝酸铁溶液中,将铜基底溶掉,此时石墨烯薄膜将沉在硅基底上;接下来将溶液稀释,再将沉有石墨烯的硅基底从溶液中取出用真空干燥箱烘干;再将沉有石墨烯的硅基底超声清洗后,放入通氩气保护的退货炉中退火即可制的高质量的石墨烯样品。本发明简化了原来制备石墨烯薄膜所需要的复杂的步骤,避免了化学方法所需要的剧毒试剂,提高了石墨烯薄膜的生产效率,制备的石墨烯薄膜经拉曼光谱仪测量证明性能良好,具有很好的可重复性。
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来源：北方有色网
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