本发明属于化工材料技术领域，具体为一种硅片基硫化铋纳米花阵列的制备方法和应用。本发明方法包括：通过简单的水热法即可在硅片基底上进行硫化铋纳米花阵列的组装，经过充分和烘干处理得到硅片基硫化铋阵列结构。硅片上生长的硫化铋纳米花晶体，形貌均一，尺寸约为800nm，化学式为Bi
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3，本发明工艺简便、具有普适性，可以制备其他硫化物。制得的硫化铋纳米花阵列，在光电检测器和场发射等领域具有巨大的应用前景。
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“硅片基硫化铋纳米花阵列的半导体光电材料的制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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